李宇翔
,
卢振亚
,
张兆生
稀有金属材料与工程
研究了Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er_2O_3不仅可以提高压敏电压V1mA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性.但过量的Er_2O_3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣化.微观结构和XRD图谱分析表明,Er_2O_3以一种化合物的形式存在于晶界,阻碍了晶界的运动,使材料烧结后具有较小的晶粒尺寸,并且粒径分布比较均匀.当Er_2O_3的添加量为0.8 mol%时,样品的压敏电压V1mA约为360 V/mm,非线性系数α达到86,并且在8/20 μs的耐大电流冲击能力的试验中,样品耐受冲击电流的峰值大于1.6 kA/cm~2.
关键词:
Er_2O_3掺杂
,
ZnO压敏电阻
,
高电位梯度
,
耐电流冲击特性
王茂华
,
王秋丽
,
沙燕红
材料科学与工程学报
以Zn（NO32）和NH2CONH2为原料,通过燃烧法合成纳米ZnO粉体。用X射线衍射、扫描电镜、比表面积分析手段对所制备粉体的性能进行了表征。结果表明,制备的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构。在三种反应模式中,当φ=0.85（贫燃比,SCS）时,晶粒尺寸为41.5nm,其比表面积为0.849m2/g;当φ=1.67（化学计量比,VCS）时,晶粒尺寸为36.6nm,其比表面积为0.516m2/g;当φ=2.8（富燃比,SHS）时,晶粒尺寸为30.5nm,其比表面积为4.068m2/g。燃烧法制备的Pr系ZnO压敏陶瓷在1250℃烧结2h后,其电性能优异,晶粒尺寸约为3.5μm,压敏电压（VlmA）为5470V/cm,非线性系数（α）为27.84,漏电流（IL）为11.5μA。
关键词:
燃烧合成
,
纳米粉体
,
ZnO压敏陶瓷
,
微观结构
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
protuberance
,
polar growth
,
crystal structure
,
Bi2O3 liquid phase
刘桂香
,
徐光亮
,
罗庆平
,
查忠勇
,
马寒冰
复合材料学报
采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻.采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制.结果表明:较低的烧结温度(1030～1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用；同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能.当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39 V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35 μA.
关键词:
掺杂
,
Pr2O3
,
ZnO压敏陶瓷
,
电性能
,
纳米复合粉体
赵坤宇
,
曾华荣
,
宋红章
,
程丽红
,
曾江涛
,
蔡闻捷
,
惠森兴
,
李国荣
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09029
介绍在商用原子力显微镜上建立的低频声学成像模式,并利用其对氧化锌压敏电阻陶瓷晶界处进行了弹性性能成像.声学像中晶界处微晶的衬度反映了添加物的分布.而晶界处的衬度增强现象可能说明样品经热处理后发生富铋相的相变.结果显示低频声成像的分辨率达到了纳米量级,在功能材料的微区力学性能表征方面具有良好的应用前景.
关键词:
扫描探针显微术
,
声成像
,
微区弹性
,
氧化锌
,
晶界
